Модуль интеллектуального усилителя мощности GaN 5100-5900 МГц 30 Вт с двойной температурой и защитой от КСВ для 5G
ZD-PA- 5100/5900M-30W
Модуль усилителя мощности C-диапазона ZD Customized 5100–5900 МГц обеспечивает выходную мощность 30 Вт для беспроводных приложений следующего поколения. Этот усовершенствованный усилитель C-диапазона оснащен тепловой защитой в реальном времени и адаптивным согласованием импеданса для обеспечения надежной работы в системах 5G NR, спутниковой связи и радиолокации. Его широкополосная конструкция поддерживает стабильное усиление во всем спектре 5,1–5,9 ГГц, а высокоэффективная архитектура минимизирует энергопотребление. Прочный алюминиевый корпус с разъемами SMA-KFD обеспечивает превосходную защиту от электромагнитных помех и долговечность в сложных условиях. Благодаря встроенным возможностям интеллектуального мониторинга этот модуль обеспечивает комплексную защиту от перегрева и условий несоответствия радиочастот. Идеально подходит как для коммерческих, так и для оборонных приложений, поддерживает гибкое развертывание на базовых станциях, полезных нагрузках БПЛА и мобильных командных системах, надежно работая в промышленных диапазонах температур.
количество:
Усилитель мощности ZD 5100-5900 МГц 30 Вт представляет собой передовое решение для современных приложений усилителя мощности 5G, обеспечивая исключительную производительность во всем спектре C-диапазона. Этот широкополосный модуль PA имеет надежный насыщенный выход 45 ± 1 дБм (приблизительно 30 Вт) с выдающимся усилением 45 ± 2 дБ, что делает его идеальным для базовых станций 5G, малых сот и другой беспроводной инфраструктуры высокой плотности. Усилитель поддерживает превосходную внутриполосную неравномерность (< 2 дБ) при работе во всем диапазоне 5100-5900 МГц, обеспечивая стабильную производительность как для текущих, так и для беспроводных систем следующего поколения.
Разработанный для обеспечения надежности, этот высокопроизводительный модуль включает в себя комплексную тепловую защиту с помощью интеллектуальной системы мониторинга. Прецизионная схема измерения температуры обеспечивает обратную связь по напряжению в реальном времени (10 мВ/°C) с 25 °C в качестве базовой линии, что позволяет автоматически регулировать мощность и защищать от отключения при необходимости. В сочетании с эффективным фрезерованным алюминиевым корпусом эта система терморегулирования обеспечивает непрерывную работу в сложных условиях (от -10 °C до +55 °C). Конструкция усилителя мощности 30 Вт использует передовую технологию GaN для достижения высокой эффективности при минимизации тепловыделения, что значительно повышает надежность и срок службы системы.
Архитектура широкополосного усилителя мощности демонстрирует исключительную спектральную чистоту, отвечая строгим требованиям к внеполосным выбросам (≤-36 дБм/30 кГц ниже 1 ГГц, ≤-30 дБм/30 кГц до 12,75 ГГц). Это делает модуль особенно подходящим для плотных развертываний 5G, где критически важно подавление помех. Усилитель 5100-5900 МГц поддерживает превосходный КСВН (≤1,5 как на входе, так и на выходе) благодаря оптимизированным цепям согласования импеданса, защищая от повреждения отраженной мощности, обеспечивая при этом максимальную передачу мощности. Компактный форм-фактор 125×65×20 мм с разъемами SMA-KFD обеспечивает гибкую интеграцию в различные конфигурации системы.
Как решение усилителя мощности 5G, этот модуль поддерживает как традиционную, так и открытую архитектуру RAN, обладая стандартизированными интерфейсами мониторинга через проходные конденсаторы. Конструкция источника питания DC+28 В с рабочим током ≤3 А обеспечивает совместимость с обычными системами питания телекоммуникаций. Благодаря сочетанию высокой мощности, широкополосной производительности и надежной тепловой защиты этот усилитель мощности 30 Вт разработан для удовлетворения строгих требований операторов сетей 5G и производителей оборудования, обеспечивая надежную работу как в коммерческих, так и в промышленных приложениях.
| Рабочая частота | 5100-5900МГц |
| Насыщенная выходная мощность | 45±1 дБм |
| Прирост | 45±2 дБм |
| Внутриполосная плоскостность | <2дБм |
| Рабочий ток | ≤3A |
| Входной и выходной КСВН | ≤1.5 |
| Внеполосные шпоры | 9kHz~1GHz:≤-36dBm/30kHz 1GHz~12.75GHz:≤-30dBm/30KHz |
| Максимальный вход без потерь | +10dBm |
| Рабочее напряжение | DC+28V |
| Интерфейс источника питания | Проходной конденсатор |
| РФ порт | SMA-KFD |
| Интерфейс мониторинга | Проходной конденсатор |
| Размер усилителя | 125*65*20 мм |
| Рабочая Температура | -10~+55℃ |
| Относительная влажность | 5%~95%,Нет конденсата |
| Температура хранения | -25~+65℃ |
| Текущий отчет | Чипы будут считывать текущее значение при напряжении 0-5 В. |
| Отчет о температуре | Чип считывает значение температуры по напряжению. ссылка «VO = 10 мВ / °C T °C500 мВ с 25 ℃ в качестве базовой точки отсчета», напряжение увеличивается на 10 мВ, температура на 1 ℃ подробнее |