Модуль усилителя мощности RF Wide Band 100-6000 МГц 100 Вт
Модуль усилителя мощности RF Wide Band 100-6000 МГц 100 Вт, разработанный для приложений общего назначения, предлагающий исключительно широкий диапазон рабочих частот 100-6000 МГц. Этот широкий спектр делает его очень универсальным и адаптируемым к различным эксплуатационным условиям. Усилитель высокой мощности использует технологию нитрида галлия (GaN) класса AB на подложке из карбида кремния (SiC), что обеспечивает превосходную производительность, эффективность и надежность. Конструкция GaN обеспечивает высокую плотность мощности и минимизирует тепловые проблемы, что делает его идеальным для требовательных приложений.
Одной из выдающихся особенностей модуля усилителя мощности является его мгновенная широкая полоса пропускания. Эта возможность позволяет модулю усилителя обрабатывать широкий диапазон частот без ухудшения производительности, что особенно полезно в приложениях, требующих быстрого изменения частоты. Кроме того, усилитель высокой мощности имеет входное и выходное сопротивление 50 Ом, что обеспечивает бесшовную интеграцию со стандартными системами RF и устраняет необходимость в дополнительных согласующих цепях. Модуль усилителя также отличается малыми размерами и легкой конструкцией, что позволяет легко интегрировать его в различные системы без значительного увеличения объема или веса. Несмотря на компактную форму, модуль усилителя мощности РЧ изготовлен из высококачественных компонентов и имеет прочную конструкцию, что обеспечивает высокую надежность и прочность. Он способен выдерживать сложные условия эксплуатации, что делает его надежным выбором для широкого спектра приложений, включая телекоммуникации, радиолокационные системы, радиоэлектронную борьбу, испытательное и измерительное оборудование, а также промышленные и коммерческие РЧ-системы.
Название элемента | Технические параметры |
рабочая частота | 100-500/500-2700/2700-6000 МГц |
Выходная мощность насыщения | 50±1 дБм |
Усиление | 50±2 дБ |
Неравномерность внутри полосы | <3 дБ |
Рабочий ток | ≤510А |
Входной и выходной КСВ | ≤1,5 |
Внеполосные выбросы | 9 кГц~1 ГГц:≤-36 дБм/30 кГц1 ГГц~12,75 ГГц:≤-30 дБм/30 кГц |
Максимальное отсутствие потерь | <+10 дБм |
Рабочее напряжение | DC+28 В |
Интерфейс источника питания | 2W2 |
RF порт | N |
Интерфейс мониторинга | DB9: 1: TEMP, 3: VSWR |
Рабочая температура | -10~+55℃ |
Относительная влажность | 5%~95%,Без конденсации |
Температура хранения | -25~+65℃ |