Источник сигнала Входной широкополосный GaN-усилитель RF 6–7 ГГц, 200 Вт

ЭтотМодуль усилителя RF GaN мощностью 200 Втспроектирован какШирокополосный радиочастотный усилитель 6–7 ГГцоптимизирован дляисточник сигналаинтегрированные тестовые среды. Работая в диапазоне 6000–7000 МГц, этотМодуль усилителя RF GaN мощностью 200 Втобеспечивает согласование входного и выходного импеданса 50 Ом для стабильного подключения к системе. Приняв технологию чип-энд-проволоки из нитрида галлия,Широкополосный радиочастотный усилитель 6–7 ГГцобеспечивает типичную выходную мощность 200 Вт с отличным соотношением мощности к объему. Разработан дляисточник сигналасвязанные задачи ЭМС, измерения и помех, этоМодуль усилителя RF GaN мощностью 200 Втимеет компактную легкую конструкцию. Встроенные схемы управления и защиты вызывают автоматическое отключение при перегреве или перегрузке по току. Он автоматически возобновляет работу после охлаждения в случае сбоев, связанных с перегревом, а сбои из-за перегрузки по току требуют ручного сброса и включения-выключения питания. Питание от +28 В постоянного тока.Широкополосный радиочастотный усилитель 6–7 ГГцподдерживает стабильную работу с низким уровнем гармоник и паразитных сигналов в диапазоне рабочих температур от 20 ℃ до +50 ℃.