Модуль ВЧ-усилителя с насыщенным GaN, 7‑8 ГГц, 200 Вт

ЭтотВЧ-усилитель на насыщенном GaNпредставляет собой надежный многооктавныйМодуль радиочастотного усилителя 7‑8 ГГцдоставка до200 Втвыходная мощность насыщения для радиочастотных приложений X-диапазона. Работая на частоте 7000–8000 МГц с согласованием входного и выходного сопротивления 50 Ом,ВЧ-усилитель на насыщенном GaNиспользует технологию чип-энд-проволоки из нитрида галлия для достижения превосходного соотношения мощности к объему. Компактный размерМодуль радиочастотного усилителя 7‑8 ГГцотличается ровным коэффициентом усиления, низким уровнем гармоник и паразитных сигналов. Питание от +28 В постоянного тока.200 ВтБлок питания имеет встроенные схемы управления и защиты. Он автоматически отключается при перегреве или перегрузке по току. После срабатывания перегрева устройство возобновляет работу после охлаждения; неисправности из-за перегрузки по току требуют ручного сброса и включения-выключения. Хорошо подходящий для помех, ЭМС, испытаний и измерений, усилитель надежно работает при температуре от -20 °C до +50 °C в лабораторных и полевых условиях.