Модуль высокомощного широкополосного усилителя GaN RF, 200 Вт, 5‑6 ГГц

ЭтотGaN RF усилитель мощностипредставляет собой компактный, легкийМодуль радиочастотного усилителя мощностью 200 Втоптимизирован какШирокополосный усилитель 5‑6 ГГцдля профессиональных задач радиочастотной инженерии. Работая в диапазоне частот 5000–6000 МГц с согласованием входного и выходного импеданса 50 Ом, это устройство обеспечивает выходную мощность минимум 160 Вт в насыщенном режиме при типичной выходной мощности 200 Вт. Созданный по технологии чипов и проводов из нитрида галлия,GaN RF усилитель мощностиобеспечивает превосходное соотношение мощности к объему, стабильное усиление мощности и низкий уровень гармоник и паразитных выходных сигналов. ЭтотШирокополосный усилитель 5‑6 ГГцобъединяет внутренние схемы управления и мультизащиты. Он запускает автоматическое отключение при перегреве или перегрузке по току. После неисправностей, связанных с перегревом,Модуль радиочастотного усилителя мощностью 200 Втавтоматическое восстановление при падении температуры; В случае перегрузки по току требуется ручной сброс выключения и включения питания. Питание от +28 В постоянного тока позволяет обеспечить помехоустойчивость, ЭМС, испытания и измерения. Он надежно работает при рабочей температуре ниже +20℃~+50℃ в различных сложных полевых и лабораторных условиях.