Широкополосный радиочастотный модуль усилителя мощности GaN Chip-and-Wire, 800–6000 МГц, 10/20 Вт

ЭтотУсилитель мощности 800-6000 МГцразработан с использованием ядраГаНматериал нитрида галлия и зрелыйчип и проводтехнология соединения голого чипа, доступная с10/20 Втнасыщенные варианты выходной мощности. Как высокопроизводительныйУсилитель мощности 800-6000 МГц, он обеспечивает мгновенную сверхширокую полосу пропускания.ГаНчип обеспечивает высокую плотность мощности, в то время какчип и проводтехнология значительно улучшает соотношение мощности к объему. Этот10/20 ВтУсилитель имеет согласованное входное и выходное сопротивление 50 Ом, типичный коэффициент усиления 41 дБ и превосходное подавление гармоник и паразитов. Встроенные комплексные схемы управления поддерживают многофункциональную защиту от перегрева, перенапряжения и перегрузки по току с автоматическим отключением при сбоях. Совместимый с источником питания 24–32 В постоянного тока с номинальным напряжением 28 В, он стабильно работает в широком диапазоне температур. принятиеГаНичип и проводтехнология, этоУсилитель мощности 800-6000 МГцс10/20 ВтВыбор мощности соответствует разнообразным требованиям к выходной мощности и широко используется в проектах испытаний на электромагнитную совместимость, подавление сигналов и радиочастотных измерений.