Модуль широкополосного ВЧ GaN усилителя мощности с насыщением 6-8 ГГц 50 В

Этотусилительный модуль мощности на GaN диапазона 6–8 ГГц — профессиональное твердотельное микроволновое силовое устройство, изготовленное по современной технологии кристаллов GaN, это высокоэффективный широкополосный усилитель с насыщенной мощностью 50 Вт, полностью перекрывающий частотный диапазон 6–8 ГГц. Номинальная насыщенная выходная мощность составляет 50 Вт, типичный коэффициент усиления 47 дБ, неравномерность усиления не превышает ±2 дБ. Как надёжный широкополосный усилитель с насыщенной мощностью 50 Вт, он имеет стандартное согласование импеданса 50 Ом на входе и выходе, радиочастотный вход с разъёмом SMA-K женского типа, выход с разъёмом N-K женского типа, питание от постоянного напряжения 28 В, рабочий ток при полной нагрузке 8 А.В усилительном модуле мощности на GaN диапазона 6–8 ГГц встроена полная схема защиты от перегрева, перенапряжения и перегрузки по току, при температуре 85 °C происходит автоматическое отключение для предотвращения повреждения модуля. Предусмотрены выводы интерфейса RS485 для постоянного контроля рабочего состояния, уровень гармоник не выше −12 дБц, паразитных сигналов — не выше −60 дБц. Компактный корпус из сплава габаритами 170×94×26,5 мм весит всего 1,5 кг, стабильно работает при температуре −30…+55 °C. Данный усилительный модуль мощности на GaN диапазона 6–8 ГГц широко используется в оборудовании для испытаний ЭМС, подавителях радиочастотных сигналов и системах микроволновых измерений.