Модуль сверхширокополосного усилителя мощности GAN RF, 6–18 ГГц, 100 Вт

Этот6–18 ГГцширокополосные усилителиагрегат представляет собой высокопроизводительнуюГаНМодуль полупроводникового усилителя мощности с типичной выходной мощностью насыщения100 Вт. Принятие передовыхГаНтехнология производства чипов и проводов, это6–18 ГГцширокополосные усилителиобеспечивает стабильный100 ВтВЧ-выход, типичное усиление мощности 50 дБ и сверхплоская характеристика усиления ± 1 дБ во всем диапазоне частот. Благодаря согласованным входным и выходным портам 50 Ом он обеспечивает подавление гармоник -15 дБн и превосходное подавление паразитных сигналов -60 дБн при полной нагрузке.100 Втвласть. Работая от источника питания +28 В постоянного тока,6–18 ГГцширокополосные усилителивключает в себя полную защиту: функцию автоматического отключения при перегреве и перегрузке по току. Он поддерживает переключатель включения TTL с аналоговыми выходными сигналами для измерения температуры в реальном времени и оповещения о текущих неисправностях.ГаНУсилитель надежно работает при температуре от -20℃ до 50℃, имеет компактные размеры 200×160×35 мм и вес всего 1,5 кг. Оснащен входом SMA, РЧ-выходом N-типа и разъемом питания D-Sub.100 Вт6–18 ГГцширокополосные усилителишироко используется для тестирования электромагнитной совместимости, подавления сигналов и систем прецизионного тестирования и измерения.